【半導體器件物理 第2版】
內容介紹
本書由淺入深、系統地介紹了常用半導體器件的基本結構、工作原理和工作特性。為便於讀者自學和參考，本書先介紹了學習半導體器件必需的半導體材料和半導體物理的基本知識；然後重點論述了PN結、雙極型晶體管、MOS場效應管和結型場效應管的各項性能指標參數及其與半導體材料參數、工藝參數和器件幾何結構參數的關係；*後簡要講述了功率MOSFET、IGBT和光電器件等其他常用半導體器件的原理及應用。
目錄
第一章 半導體物理基礎（1）
1.1 半導體晶體結構和缺陷（1）
1.1.1 半導體的晶體結構（1）
1.1.2 晶體的晶向與晶面（3）
1.1.3 半導體中的缺陷（4）
1.2 半導體的能帶與雜質能級（6）
1.2.1 半導體中電子共有化運動與能帶（6）
1.2.2 半導體中的E(k)~k關係、有效質量和k空間等能面（11）
1.2.3 Si、Ge的能帶結構及本徵半導體（14）
1.2.4 雜質半導體（15）
1.3 半導體中的平衡與平衡載流子（19）
1.3.1 導帶電子濃度與價帶空穴濃度（19）
1.3.2 本徵載流子濃度與本徵費能級（22）
1.3.3 雜質半導體的載流子濃度（24）
1.3.4 簡併半導體及其載流子濃度（28）
1.3.5 平衡載流子的產生與復合及準費能級（30）
1.3.6 平衡載流子的壽命與復合理論（32）
1.4 半導體中載流子的輸運現象（35）
1.4.1 載流子的漂移運動與遷移率（35）
1.4.2 半導體中的主要散射機構及遷移率與平均自由時間的關係（37）
1.4.3 半導體的遷移率、電阻率與雜質濃度和溫度的關係（40）
1.4.4 載流子的擴散運動及愛因斯坦關係（43）
1.4.5 連續性方程（45）
1.5 半導體表面（46）
1.5.1 半導體表面和表面能級（46）
1.5.2 Si-SiO2系統中的表面態與表面處理（47）
1.5.3 表面能帶彎曲與反型（49）
1.5.4 表面複合（50）
思考題和練習題（50）
章 PN結（52）
2.1 平衡PN結（52）
2.1.1 PN結的製造工藝和雜質分佈（52）
2.1.2 平衡PN結的空間電荷區和能帶圖（54）
2.1.3 平衡PN結的載流子濃度分佈（57）
2.2 PN結的直流特性（58）
2.2.1 PN結的正向特性（58）
2.2.2 PN結的反向特性（65）
2.2.3 PN結的伏安特性（68）
2.2.4 影響PN結伏安特性的因素（70）
2.3 PN結空間電荷區的電場和寬度（76）
2.3.1 突變結空間電荷區的電場和寬度（77）
2.3.2 緩變結空間電荷區的電場和寬度（81）
2.4 PN結的擊穿特性（84）
2.4.1 擊穿機理（84）
2.4.2 雪崩擊穿電壓（86）
2.4.3 影響雪崩擊穿電壓的因素（91）
2.5 PN結的電容效應（95）
2.5.1 PN結的勢壘電容（95）
2.5.2 PN結的擴散電容（1）
2.6 PN結的開關特性（1）
2.6.1 PN結的開關作用（1）
2.6.2 PN結的反向恢復時間（3）
2.6.3 提高PN結開關速度的途徑（6）
2.7 金屬半導體的整流接觸和歐姆接觸（7）
2.7.1 金屬半導體接觸的表面勢壘（8）
2.7.2 金屬半導體接觸的整流效應與肖特基二極管（1）
2.7.3 歐姆接觸（112）
思考題和習題（114）
第3章 雙極型晶體管（115）
3.1 晶體管的基本結構、製造工藝和雜質分佈（115）
3.1.1 晶體管的基本結構和分類（115）
3.1.2 晶體管的製造工藝和雜質分佈（116）
3.1.3 均勻基區晶體管和緩變基區晶體管（118）
3.2 晶體管的電流放大原理（118）
3.2.1 晶體管的能帶及其載流子的濃度分佈（119）
3.2.2 晶體管載流子的傳輸及各極電流的形成（120）
3.2.3 晶體管的直流電流-電壓關係（123）
3.2.4 晶體管的直流電流放大係數（126）
3.2.5 影響晶體管直流電流放大係數的因素（134）
3.3 晶體管的直流伏安特性曲線（139）
3.3.1 共基極連接的直流特性曲線（140）
3.3.2 共發射極連接的直流特性曲線（141）
3.3.3 兩種組態輸出特性曲線的比較（142）
3.4 晶體管的反向電流與擊穿特性（143）
3.4.1 晶體管的反向電流（143）
3.4.2 晶體管的反向擊穿電壓（145）
3.4.3 穿通電壓（149）
3.5 晶體管的頻率特性（150）
3.5.1 晶體管交流特性和交流小信號傳輸過程（151）
3.5.2 晶體管的高頻等效電路和交流電流放大係數（154）
3.5.3 晶體管的頻率特性曲線和極限頻率參數（162）
3.5.4 晶體管的噪聲（167）
3.6 晶體管的功率特性（170）
3.6.1 基區大注入效應（170）
3.6.2 基區擴展效應（175）
3.6.3 發射極電流集邊效應（179）
3.6.4 集電結**耗散功率和晶體管的熱阻（183）
3.6.5 晶體管的二次擊穿（187）
3.6.6 集電極**工作電流和安全工作區（191）
3.7 晶體管的開關特性（193）
3.7.1 晶體管的開關作用（193）
3.7.2 晶體管的開關波形和開關時間的定義（196）
3.7.3 晶體管的開關過程和影響開關時間的因素（198）
3.7.4 提高開關晶體管開關速度的途徑（202）
3.7.5 開關晶體管的正向壓降和飽和壓降（203）
3.8 晶體管的設計（205）
3.8.1 晶體管設計的一般方法（205）
3.8.2 晶體管的縱向設計（207）
3.8.3 晶體管的橫向設計（211）
思考題和習題（219）
第4章 MOS場效應晶體管（221）
4.1 MOS場效應晶體管的結構、工作原理和輸出特性（221）
4.1.1 MOS場效應晶體管的結構（221）
4.1.2 MOS場效應管的基本工作原理和輸出特性（222）
4.1.3 MOS場效應晶體管的分類（224）
4.2 MOS場效應晶體管的閾值電壓（226）
4.2.1 MOS場效應晶體管閾值電壓的定義（226）
4.2.2 MOS場效應晶體管閾值電壓的表示式（226）
4.2.3 理想條件下MOS場效應管的閾值電壓（229）
4.2.4 影響閾值電壓的其他因素（233）
4.2.5 閾值電壓的調整技術（236）
4.3 MOS場效應晶體管的直流電流—電壓特性（240）
4.3.1 MOS場效應晶體管線性區的電流—電壓特性（240）
4.3.2 MOS場效應晶體管飽和區的電流—電壓特性（241）
4.3.3 亞閾值區的電流—電壓特性（242）
4.3.4 MOS場效應晶體管擊穿區特性及擊穿電壓（244）
4.4 MOS電容及MOS場效應晶體管瞬態電路模型（247）
4.4.1 理想MOS結構的電容—電壓特性（247）
4.4.2 MOS場效應晶體管瞬態電路模型（SPICE模型）的建立（250）
4.5 MOS場效應管的交流小信號參數和頻率特性（253）
4.5.1 MOS場效應管的交流小信號參數（253）
4.5.2 MOS場效應晶體管的頻率特性（257）
4.6 MOS場效應晶體管的開關特性（259）
4.6.1 MOS場效應晶體管瞬態開關過程（259）
4.6.2 開關時間的計算（261）
4.7 MOS場效應晶體管的二級效應（262）
4.7.1 常數表面遷移率效應（262）
4.7.2 體電荷效應對電流—電壓特性的影響（263）
4.7.3 MOS場效應晶體管的短溝道效應（265）
4.7.4 MOS場效應晶體管的窄溝道效應（268）
4.8 MOS場效應晶體管溫度特性（269）
4.8.1 熱電子效應（269）
4.8.2 遷移率隨溫度的變化（270）
4.8.3 閾值電壓與溫度關係（270）
4.8.4 MOS場效應晶體管幾個主要參數的溫度關係（271）
思考題和習題（273）
第5章 結型場效應晶體管及金屬半導體場效應晶體管（274）
5.1 JFET及MESFET的結構、工作原理和分類（274）
5.1.1 JFET及MESFET的結構（274）
5.1.2 JFET工作原理和輸出特性（276）
5.1.3 JFET和MESFET的分類（277）
5.2 JFET的電流電壓特性（278）
5.2.1 線性區電流電壓特性（279）
5.2.2 飽和區電流電壓特性（281）
5.2.3 亞閾值區特性（283）
5.3 JFET的直流和交流小信號參數（285）
5.3.1 JFET的直流參數（285）
5.3.2 JFET的交流小信號參數（288）
5.4 JFET的高頻參數（290）
5.4.1 截止頻率fT（291）
5.4.2 渡越時間截止頻率f0（292）
5.4.3 **振盪頻率fM（292）
5.5 短溝道JFET和MESFET（293）
5.5.1 短溝道JFET和MESFET中的遷移率調製效應（293）
5.5.2 短溝道JFET和MESFET的電流—電壓方程（295）
思考題與習題（295）
第6章 其他常用半導體器件（297）
6.1 功率MOS場效應晶體管（297）
6.1.1 功率MOS場效應晶體管的基本結構（297）
6.1.2 功率MOS場效應晶體管電流電壓特性（299）
6.1.3 功率MOS場效應晶體管的跨導和輸出漏電導（302）
6.1.4 功率MOS場效應晶體管的導通電阻（302）
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【半導體物理與器件 第2版】
內容介紹
本書系統且全面地闡述了半導體物理的基礎知識和典型半導體器件的工作原理、工作特性，內容涵蓋量子力學、固體物理、半導體物理和半導體器件等。全書共8章，主要內容包括：半導體中的電子運動狀態、平衡半導體中的載流子濃度、載流子的輸運、過剩載流子、pn結、器件製備基本工藝、金屬半導體接觸和異質結、雙極晶體管。本書語言簡明扼要、通俗易懂，具有很強的專業性、技術性和實用性，並配有電子課件PPT、知識點視頻、習題參考答案等。本書既可作為高等學校電子科學與技術、微電子技術、光電信息工程等專業本科生的教材，又可作為相關領域工程技術人員的參考書。
作者介紹
呂淑媛，博士，西安郵電大學副教授，長期講授半導體物理與器件等課程，曾獲得2018年陝西省第三屆高校教師微課教學比賽一等獎，2019年全國高等學校電子信息類專業青年教師授課大賽二等獎和2022年全國高校光電信息科學與工程專業*秀課程思政案例二等獎。在教學實踐中開展以學生為中心的教學改革並發表相關教改論文一篇。 2021年主持陝西省自然科學基金項目一項，2019年作為項目組*二參與人參與國家自然科學基金面上項目一項，以*一作者發表SCI論文20餘篇。
目錄
*1章 半導體中的電子運動狀態 1
1.1 半導體材料 1
1.1.1 半導體材料的原子構成 1
1.1.2 半導體材料的結構 3
1.1.3 金剛石結構 8
1.1.4 固體的缺陷與雜質 10
1.2 量子力學初步 11
1.2.1 量子力學的基本原理 12
1.2.2 薛定諤方程及其波函數的意義 13
1.2.3 薛定諤方程的應用——自由電子與束縛態電子 15
1.2.4 薛定諤方程的應用——單電子原子中電子的狀態 20
1.2.5 薛定諤方程的應用——多電子原子中電子的狀態 23
1.3 晶體中電子的運動狀態 25
1.3.1 能帶的形成 26
1.3.2 一維無限晶體的能帶 29
1.3.3 半導體的價鍵模型和能帶模型 33
1.3.4 半導體的有效質量 36
1.3.5 空穴 38
1.3.6 金屬、半導體和絕緣體的能帶與導電性能差異 41
1.3.7 三維無限晶體的能帶 42
習題1 44
*2章 平衡半導體中的載流子濃度 46
2.1 狀態密度函數 46
2.2 費米-狄拉克分佈函數 49
2.3 平衡載流子濃度 55
2.3.1 平衡半導體中載流子濃度的公式 57
2.3.2 本徵半導體中的載流子濃度 60
2.3.3 載流子濃度的乘積 63
2.3.4 本徵費米能級位置 63
2.4 只含一種雜質的雜質半導體中的載流子濃度 64
2.4.1 施主雜質和受主雜質 64
2.4.2 施主雜質能級上的電子和受主雜質能級上的空穴 69
2.4.3 電中性條件 70
2.5 補償半導體的載流子濃度 76
2.6 費米能級的位置 77
2.7 簡併半導體 83
2.7.1 簡併半導體的載流子濃度 84
2.7.2 禁帶變窄效應 85
習題2 86
第3章 載流子的輸運 89
3.1 載流子的熱運動 89
3.2 載流子的漂移運動 90
3.2.1 漂移電流密度 91
3.2.2 遷移率 93
3.2.3 電導率和電阻率 100
3.3 載流子的擴散運動 104
3.4 愛因斯坦關係 106
3.4.1 電場作用下的能帶圖 106
3.4.2 愛因斯坦關係的推導 107
3.5 霍爾效應 109
習題3 111
第4章 過剩載流子 113
4.1 載流子的產生和復合 113
4.1.1 決定載流子產生率的因素 114
4.1.2 決定載流子復合率的因素 115
4.1.3 熱平衡狀態下載流子的產生和復合 115
4.1.4 外力作用下載流子的產生和復合 116
4.2 準費米能級 118
4.3 過剩載流子的性質 120
4.3.1 載流子的連續性方程 120
4.3.2 與時間有關的擴散方程 121
4.4 雙極輸運及其輸運方程 122
4.4.1 雙極輸運的概念 122
4.4.2 雙極輸運方程 123
4.4.3 小注入條件下的雙極輸運方程 124
4.4.4 雙極輸運方程應用 126
習題4 131
第5章 pn結 133
5.1 pn結的形成及其基本結構 133
5.1.1 合金法及形成的pn結的雜質分佈 133
5.1.2 擴散法及形成的pn結的雜質分佈 134
5.2 平衡pn結及其能帶 135
5.2.1 平衡pn結 136
5.2.2 平衡pn結的能帶 137
5.3 平衡pn結的參數 139
5.3.1 內建電勢差 139
5.3.2 平衡pn結的內建電場強度及電勢分佈函數 143
5.3.3 空間電荷區寬度 147
5.3.4 空間電荷區的載流子濃度 150
5.3.5 線性緩變結的靜電特性 151
5.4 pn結二極管的電流-電壓特性方程 152
5.4.1 靜電特性結果在外加電壓pn結中的推廣 153
5.4.2 pn結電流-電壓特性方程的定性推導 156
5.4.3 pn結電流-電壓特性方程的定量推導 157
5.4.4 對理想pn結電流-電壓關係的修正 169
5.5 pn結的小信號模型 173
5.5.1 pn結反偏時的小信號模型 174
5.5.2 pn結正偏時的小信號模型 177
5.6 pn結二極管的瞬態響應 180
5.6.1 關瞬態 180
5.6.2 開瞬態 182
5.7 隧道二極管 183
5.8 pn結在光電器件中的應用 184
5.8.1 光電檢測器 185
5.8.2 太陽能電池 189
5.8.3 發光二極管 191
習題5 194
第6章 器件製備基本工藝 197
6.1 器件製備基本工藝 197
6.1.1 襯底材料的準備 198
6.1.2 氧化 198
6.1.3 薄膜生長 199
6.1.4 薄膜的圖形化 201
6.1.5 摻雜 202
6.2 pn結二極管的製備 203
習題6 205
第7章 金屬半導體接觸和異質結 206
7.1 金屬半導體接觸 206
7.1.1 金屬和半導體的功函數 206
7.1.2 理想的金屬半導體接觸 207
7.1.3 表面態對金屬半導體接觸勢壘的影響 211
7.1.4 理想金屬半導體接觸的特性 212
7.1.5 金屬半導體接觸的電流-電壓關係 214
7.1.6 鏡像力的影響 216
7.1.7 肖特基勢壘二極管和pn結二極管的比較 216
7.1.8 歐姆接觸 218
7.2 異質結 218
7.2.1 異質結的分類及其能帶圖 218
7.2.2 突變反型異質結的靜電特性 222
7.3 異質結的電流-電壓特性 224
7.3.1 突變反型異質結中的電流輸運模型 225
7.3.2 突變同型異質結中的電流輸運模型 227
7.3.3 異質結的注入比特性 227
習題7 228
第8章 雙極晶體管 230
8.1 雙極晶體管的基本情況 230
8.1.1 雙極晶體管的結構 230
8.1.2 雙極晶體管的特性參數 234
8.2 雙極晶體管的電流-電壓特性 235
8.2.1 理想晶體管模型及其求解 235
8.2.2 理想晶體管輸入/輸出特性曲線 240
8.2.3 非理想晶體管 242
8.2.4 非理想晶體管輸入/輸出特性曲線 245
8.3 晶體管的反向特性 247
8.3.1 晶體管的反向電流 247
8.3.2 晶體管的反向擊穿電壓 249
8.3.3 晶體管的穿通電壓 250
8.4 晶體管模型和晶體管頻率特性 250
8.4.1 Ebers-Moll模型 250
8.4.2 晶體管的頻率特性 252
習題8 256
附錄A 本書常用文字符號說明 257
附錄B 常用表格 260
參考文獻 261
嘉義孫**[0966***339]
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新竹鄭**[0960***495]
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新北方**[0978***459]
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新北陳**[0918***803]
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嘉義鄭**[0966***127]
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桃園孫**[0918***609]
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嘉義仲**[0978***901]
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桃園錢**[0998***345]
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嘉義吳**[0956***756]
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高雄孫**[0951***242]
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